Graduados de Doctorado 1987-2017

 


 

2017

APELLIDOS NOMBRE TESIS INICIO TERMINO ASESOR
Avila Herrera Fernando Estudio y modelación de transistores MOS nanométricos del tipo sin uniones 25/08/14 24/03/17 Dr. Ramón Peña
 

2016

APELLIDOS NOMBRE TESIS INICIO TERMINO ASESOR
Méndez López Arturo Estudio de las propiedades termoeléctrica de la aleación Bi1-xSbx preparada para molienda mecánica 02/09/11 24/03/15 Dr. Yasuhiro MatusumotoDr. Mauricio Ortega
Merupo Victor Ishrayelu Síntesis y caracterización de materiales nanoestructurados de BiVO4 dopado con materiales para aplicaciones fotocatalíticas. 13/10/11 18/03/16 Dr. Velumani Subramaniam
Espinosa Rivas Andrés Mauricio Síntesis de nanometales para el crecimiento de nanoestructuras de carbano por CVD 17/01/11 22/08/16 Dr. Mauricio Ortega
Ruiz Preciado Marco Alejandro Síntesis, caracterización y respuesta fotocatalítica de óxidos semiconductores a base de NiTiO3 07/01/13 17/10/16 Dr. Arturo MoralesDr. Abdelhadi Kassiba
Jayaraman Vinoth Kumar Fabricación y caracterización de películas delgadas de ZnO sin dopar y codopadas 07/01/13 04/11/16 Dra. Ma. de la Luz OlveraDr. Arturo Maldonado
Abarca Jiménez Griselda Stephany Sistema electrónico para un acelerómetro empleando un FGMOS para correlación de parámetro inercial 27/08/12 24/11/16 Dr. Alfredo ReyesDr. Mendoza
 Neendor  Rohini Mohan  Síntesis mecanoquímica de Cu(In,Ga)Se2: Depósito, selenización y caracterización de películas.  09/01/12  06/12/16  Dr. Velumani Subramaniam
 Reyes Figueroa Pablo Itzam Depósito y caraterización de películas de Cu(In1-x,Gax)Se2mediante multiples técnicas de depósito. 29/08/11  08/12/16 Dr. Velumani Subramaniam

Dr. Ludovic Arzel 

 


2015

APELLIDOS NOMBRE TESIS INICIO TERMINO ASESOR
Karthik Tangirala Venkata Krishna Synthesis and characterization of chemical sensors based on ceramic pellets tin oxide nanoparticles activated by Cu, Pd and Pt 09/11/15 Dr. Arturo Maldonado Alvarez
Dutt Ateet Depósito y caracterización de silicio nanocristalino embebido en óxido de silicio amorfo y su posible uso en dispositivos optoelectrónicos 11/11/15 Dr. Yasuhiro Matsumoto K.

2014

APELLIDOS NOMBRE TESIS INICIO TERMINO ASESOR
Vázquez Acosta Norman Edgar Circuitos electrónicos para procesamiento de señal de sensor de gas empleando transistores MOS de compuerta flotante 28/11/14 Dr. M. Alfredo Reyes Barranca
Alvarado García José Alberto Depósito de películas nanometrícas de ZnO a partir de nanocristales  coloidales 01/06/14 Dr. Arturo Maldonado Alvarez
Roshan Biswal Rajesh Estudio de películas de óxido de zinc impurificadas con indio (ZnO:In) depositadas por la técnica de rocío químico ultrasónico. Efecto de las condiciones de depósito y de la solución de partida sobre sus propiedades 08/12/14 Dr. Arturo Maldonado Alvarez

2013

APELLIDOS NOMBRE TESIS INICIO TERMINO ASESOR
Vásquez Agustín Marco Antonio Estudio y desarrollo de diodos emisores de luz con Heterouniones de In/ZnO:Zn/SiP/Si/Al 25/08/08 08/02/13 Dr. Peña
Contreras González Esteban Estudio de circuitos integrados analógicos que utilizan transistores MOS de doble-compuerta. 07/01/09 11/03/13 Dr. Cerdeira
 Goiz Amaro Oscar  Síntesis de nanoalambres de óxido de tungsteno por el método CSVT y su aplicación a sensado de gases. 12/01/09 06/09/13  Dr. Ramón Peña. Dr. Fernando Chávez
 Díaz Torres  Esteban Transistor de Efecto de Campo con Compuerta de Silicio Nanoestructurado como Sensor de Gases  02/05/13  Dr. Gabriel Romero

2012

APELLIDOS NOMBRE TESIS INICIO TERMINO ASESOR
Garduño Vértiz Salvador Iván Corrientes de Fuga en Transistores MOS de Doble Compuerta: Estudio y Modelación 20/04/12 Dra. Magali Estrada del Cueto
Hernández Como Norberto Estudio de Celdas Solares de Silicio HIT: Simulación, Materiales y Experimentos Iniciales sobre las Estructuras Fotovoltaicas 15/06/12 Dr. Arturo Morales Acevedo
Morales Santillán Edgar Omar Efecto de Deuterar Películas de nid-GaN en sus Propiedades de Transporte de Carga 16/07/12 Dr. Jaime Mimila Arroyo
Peza Tapia Juan Manuel Celdas solares superestrato CdS/CuInS2 por rocío químico pirolítico 06/08/12 Dr. Mauricio Ortega López
Mendoza Acevedo Salvador Prototipo de Sensor para Gases con Tecnología MEMS 17/08/12 Dr. Mario Alfredo Reyes Barranca
González Navarro Yesenia Eleonor de un Multiplicador Vectorial con Conversión A/D Usando Técnicas de Sistemas Mixtos 19/10/13 Dr. Felipe Gómez CastañedaDr. José Antonio Moreno Cadenas
Vilchis Bravo Heber Realización y Caracterización de Estructuras Epitaxiales sobre Substratos de GaN en Fase Cúbica para Diodos Emisores de Luz 30/10/12 Dr. Víctor Manuel Sánchez ReséndizDr. Arturo Escobosa Echavarría

2011

APELLIDOS NOMBRE TESIS INICIO TERMINO ASESOR
Baca Arroyo Roberto Desarrollo de una estructura electroluminiscente activada por corriente alterna de película delgada a base de ZnO:Zn. 15/01/07 24/03/11 Dr. Ramon Peña Sierra
Castillo Cabrera Gelacio Sensor de imagen CMOS prototipo para aplicaciones de prótesis de retina. 16/01/07 27/05/11 Dr. Alfredo ReyesDr. Jair García Lamont
Gutiérrez Lazos Claudio Davet Preparación de películas delgadas de CdS y CdTe por métodos químicos 06/06/06 05/09/11 Dr. OrtegaDr. E. Rosendo Andrés
Rodríguez Peralta Patricia Autoensamble de impurezas isoelectrónicas en semiconductores. 01/09/07 23/09/11 Dr. Elyukhin
Manrique Moreno Silvestre Estudio de la incorporación de impurezas en películas epitaxiales de GaAs crecidas por MOCVD-As. 01/09/03 07/10/11 Dr. Peña
Koudriavtseva Olga Estudio de métodos de análisis para determinar los efectos de las interfaces en heteroestructuras de los compuestos III-C 09/05/07 14/10/11 Dr. Escobosa

2010

APELLIDOS NOMBRE TESIS INICIO TERMINO ASESOR
Mejia Silva Israel Fabricación, modelación y simulación de transistores de capa delgada poliméricos (PTFT). 11/01/07 16/04/10 Dra. Magali Estrada del Cueto
Solache Carranco Horacio Fabricación y caracterización de estructuras Cu2O y ZnO para su aplicación en dispositivos optoelectrónicos 07/08/06 22/04/10 Dr. Ramon Peña Sierra
Juárez Díaz Gabriel Estudio de la difusión de indio y cobre de óxido de zinc monocristalino 15/07/05 27/04/10 Dr. Ramon Peña SierraDr. Javier Martínez J.
Pérez Sánchez Francisco Fabricación y análisis de resonadores acústicos volumétricos de capa delgada a base de ZnO. 05/07/05 28/05/10 Dr. Arturo Morales
Guarneros Aguilar Cesia Crecimiento y caraterización óptica y estructural de películas de III-Nitruros por depósito químico de vapores metalorganicos a baja presión (LP-MOCVD) 03/03/06 14/06/10 Dr. Victor Sánchez R.
Conde Díaz Jorge Evaristo Estudio de los transistores SOI Multi-compuerta utilizando la Simulación Tridimensional 17/08/2010 Dr. Antonio Cerdeira
Bhojan Vidhya Preparación y Caracterización de Películas Delgadas Nanoestructuradas de CuInGaSe2 y CdZnS para Aplicaciones Fotovoltaicas 22/09/2010 Dr. Velumani Subramaniam

 


2009

APELLIDOS NOMBRE TESIS INICIO TERMINO ASESOR
Casados Cruz Gaspar Extracción de parámetros de tunelamiento Fowler-Nordheim en transistores FGMOS y su modelo analógico para simulación de programación con SPICE” 01/10/02 03/04/09 Dr. A. Reyes
Morales Ruiz Crisoforo Depósito y caracterización de películas de óxido de estaño obtenidas por CVD a bajas temperaturas” 27/01/06 14/04/09 Dr. Y. MatsumotoDr. H. Juárez Santiesteban
Pacio Castillo Mauricio Depósito de películas de dióxido de silicio obtenidas por CDV” 10/01/05 13/05/09 Dr. G. RomeroDr. H. Juárez Santiesteban
Medina Vázquez Agustín S. Diseño analógico con el transistor MOSFET de compuerta flotante de entradas múltiples en sistemas de comunicaciones 13/12/05 25/09/09 Dr. J. A. MorenoDr. Felipe Gómez
Gallardo Hernández Salvador Caracterización SIMS de heteroestructuras semiconductoras InxGa1-xAs/GaAs por epitaxial de Haces 11/11/06 23/10/09 Dr. Y. KudriavtsevDr. Máximo López
Medina Hernández José Antonio Análisis de la dinámica de las redes neuronales celulares y su apliccón al procesamiento de imagenes, a la generación de patrones de control de la navegación de un robot móvil. 09/01/06 10/12/09 Dr. F. GómezDr. J. Moreno
Rodriguez Baez Jorge Síntesis y caracterización de películas delgadas de ZnO codopadas con fluor y elementos del grupo III. Efecto de las condiciones de depósito sobre las propiedades fisicas. 09/01/06 16/12/09 Dra. M. OlveraDr. A. Maldonado

 


2008

APELLIDOS NOMBRE TESIS INICIO TERMINO ASESOR
Oliva Moreno Noe Sistemas de procesamiento de señales para el análisis de información multidimensional. 05/01/04 24/06/08 Dr. J. MorenoDr. F.  Gómez
Águila Rodríguez Gerardo Estudio, fabricación y caracterización de películas de silicio poroso con agregados nanometricos de CuO y Cu2O para sensores de gases.
03/04/00

 

27/06/08 Dr. R. PeñaDr. G. Romero
Medina Santiago Alejandro Diseño de Celdas Binarias para Operaciones Aritméticas empleando Dispositivos de Compuerta Flotante Multientrada 19/11/08 Dr. Alfredo Reyes
de la Cruz Alejo Jesús Adaptación Dinámica de Parámetros de Ponderación para Subcircuitos CMOS de Procesamiento Analógico. Dic. 08 Dr. Felipe Gómez

2007

APELLIDOS NOMBRE TESIS INICIO TERMINO ASESOR
Díaz Albarran Salvador Felipe Estabilidad termodinámica de las aleaciones semiconductoras 06/09/04 27/06/07 Dr. Vyacheslav Alyukhin
García Lozano Brenda Aline Estudio y aplicación de la cristalización láser a capas de a.SiC:H 04/02/04 21/11/07 Dra. Magali Estrada
Alvarado Pulido José Joaquín Modelación y caracterización de transistores MOS-SOI parcialmente empobrecidos con contacto de cuerpo 25/09/03 27/11/07 Dr. Antonio Cerdeira
Gómez Pozos Heberto Películas delgadas de óxido de zinc obtenidas por rocío químico, purificadas con elementos del grupo III. Estudio del efecto de las variables de depósito en las propiedades físicas. 06/01/03 11/12/07 Dr. Arturo Maldonado

2006

APELLIDOS NOMBRES TESIS INICIO TERMINO ASESOR
González Vidal José Luis Aplicación de estructuras micro-electro-mecánicas (MEM’s) con tecnología CMOS, para sensores de parámetros físicos 04/08/01 31/03/06 Dr. Alfredo Reyes B.
Guillen Santiago Alejandro Películas delgadas de óxido de zinc impurificadas con fluor, obtenidas por la técnica de rocío químico. Efecto de las condiciones de depósito sobre algunas propiedades físicas. 04/06/02 04/04/06 Dra. Ma. de la Luz Olvera
Molinar Solís Jesús Ezequiel Red Neuronal celular programable en tecnología CMOS 30/08/02 28/04/06 Dr. Felipe Gómez
Alemán Arce Miguel Ángel Estudio y caracterización de la distorsión armónica no-lineal en transistores MOSFET 04/09/00 04/05/06 Dr. Antonio Cerdeira
Reséndiz Mendoza José Luis Modelación, caracterización y fabricación de transistores de capa fina, orgánicos e inorgánicos 07/03/03 18/08/06 Dra. Magali Estrada

2005

APELLIDOS NOMBRES TESIS INICIO TERMINO ASESOR
Quintero Romo Rodolfo Antonio Simulación Cuasi-tridimensional de estructuras de cuatro capas 15/04/098 26/01/05 Dr. Antonio Cerdeira
Rivera Flores Bertha Luisa Estudio del proceso de cristalización de sistema cuaternario de InxGa1-xSbyAs1-y, por el método de heteroepitaxia en fase líquida. 24/06/05 Dr. V. Elyunkhin
Ponce Ponce Victor Hugo Sensor inteligente de imágenes en tecnología CMOS con aplicaciones en robótica 09/10/01 09/12/05 Dr. Felipe GómezDr. José Moreno C.
Albor Aguilera Ma. de Lourdes Propiedades físicas de películas delgadas semiconductoras de AgInS2 y AgInS2:Sn depositadas por rocío químico. 04/09/2000 14/12/05 Dr. Mauricio Ortega
Barrales Guadarrama Victor Rogelio Crecimiento de películas delgadas de YbaCuO por la técnica PLD 11/09/2000 15/12/05 Dr. Ramón PeñaDr. Miguel A. Mendez
Cabrera Arenas Victor Transistor a hetero-unión GaInP/GaAs; relación entre burn-in y tecnología 11/07/02 16/12/05 Dr. Jaime Mimila

2004

APELLIDOS NOMBRES TESIS INICIO TERMINO ASESOR
García Lozano Rodolfo Zolá Cristalización de Películas de a-Si:H inducida por plasma de hidrógeno para TFT’s policristalinos. 03/00 19/05/2004 Dra. Magli Estrada / Dr. Antonio Cerdeira
Tinoco Magaña Julio Cesar Obtención y caracterización de dieléctricos ultrafinos para dispositivos semiconductores y circuitos integrados. 09/99 06/07/04 Dra. Magali Estrada
Hernández Rosales Fernando Aproximación basada en lógica difusa del comportamiento de un sistema de tratamiento crudo 09/99 13/12/04 Dr. José A. Moreno C.

2003

APELLIDOS NOMBRES TESIS INICIO TERMINO ASESOR
Chávez Ramírez Fernando Obtención de películas delgadas de dióxido de silicio, con agregados de silicio, en un sistema de depósito químico desde la fase de vapor asistido por un filamento caliente 09/94 19/09/2003 Dr. Ramón Peña
Dominguéz Hernández José Luis Integración de conocimiento cuantitativo y cualitativo en el análisis del funcionamiento de plantas industriales en presencia de incertidumbre en la información 08/96 03/12/2003 Dr. José A. Moreno
García Salgado Godofredo Modelos de crecimiento de GaN por MOCVD y MBE en baja temperatura 09/00 16/12/03 Dr. Viatcheslav A. ElioukhineDr. Ramón Peña Sierra

2002

APELLIDOS NOMBRES TESIS INICIO TERMINO ASESOR
García Lamont Jair Sensor óptico CMOS prototipo con procesamiento paralelo. 09/97 08/11/2002 Dr. Felipe GómezDr. José A. Moreno

2001

APELLIDOS NOMBRE TESIS INICIO TERMINO ASESOR
Molina Lozano Herón Procesamiento y clasificación de señales utilizando redes neuronales 02/09/96 21/11/01 Dr. José A. MorenoDr. Felipe Gómez
Castillo Ojeda Roberto Saúl Estudio y caracterización de estructuras nanométricas de AlGaAs crecidas por MOCVD 19/08/94 30/11/01 Dr. Ramón Peña S.Dr. Arturo Escobosa

2000

APELLIDOS NOMBRE TESIS INICIO TERMINO ASESOR
Sánchez Reséndiz Víctor Manuel Crecimiento y caracterización de heteroestructuras de GaAs sobre Si 04/96 04/09/00 Dr. Arturo Escobosa
Martínez Juárez Javier Desarrollo de un fotodetector de avalancha de AlxGa1-xSB para 1.55 um. 02/92 10/11/00 Dr. Arturo Escobosa E.Dr. Fco. Javier de Anda.
Alcantara Iniesta Salvador Estudio del efecto piezorresistivo en el canal de transistores MOS y su aplicación como elemento sensible a la presión en la construcción de dispositivos microelectromecánicos tipo sensores de presión. 07/94 13/12/00 Dr. Antonio CerdeiaraDr. Gabriel Romero
Arellano Cardenas Oliverio Procesamiento y clasificación de señales utilizando lógica difusa 09/96 14/12/00 Dr. José A. MorenoDr. Felipe Gómez C.

1999

APELLIDOS NOMBRE TESIS INICIO TERMINO ASESOR
Díaz Becerril Tomas Francisco Influencia de los defectos sobre las propiedades electrofísicas del sistema MOS. 05/94 12/05/99 Dr. Gabriel RomeroDra. Rebeca Castanedo.
Calva Sainz José Fernando Circuito analógico neuronal CMOS para optimización combinatoria descreta. 09/95 25/06/99 Dr. Antonio MorenoDr. Felipe Gómez
Ortega López Mauricio Preparación de películas de Cds, ZnO, CdO y CulnS por técnicas químicas para su aplicación en celdas solares. 09/94 30/06/99 Dr. Arturo MoralesDr. Yasuhiro Matsumoto.
Soto Cruz Blanca Susana Obtención y caracterización de películas gruesas de a-Si:H y dispositivos pin en base a estas. 01/96 13/08/99 Dra. Magali Estrada

1998

APELLIDOS NOMBRE TESIS INICIO TERMINO ASESOR
Carrillo López Jesús Estudio de la cinética de auto-intersticiales en silicio 06/92 29/01/98 Dr. Arturo Morales
Silva Andrade Francisco Obtención y caracterización de estructuras basadas 05/93 27/02/98 Dr. Ramón PeñaDra. Tatiana Prutskij
Olvera Amador Ma. de la Luz Sensores químicos a base del semiconductor SnO2 07/94 08/07/98 Dr. René Asomoza
Reyes Barranca Mario Alfredo Estructuras CMOS VLSI de compuerta flotante para sistemas neuronales 07/93 24/09/98 Dr. Ciro Falcony GuajardoDr. Antonio Moreno

1997

APELLIDOS NOMBRE TESIS INICIO TERMINO ASESOR
Maldonado Alvarez Arturo Películas de óxidos semiconductores obtenidos por rocío químico: influencia del purificante. 09/93 20/03/97 Dr. Rané Asomoza
Avila García Alejandro El fenómeno de conmutación (switcheo)en películas de silicio amorfo hidrogenado. 09/93 13/08/97 Dr. René Asomoza

1996

APELLIDOS NOMBRE TESIS INICIO TERMINO ASESOR
Linares Aranda Monico Diseño de celdas de procesamiento sistólico matricial para sistemas de alta velocidad. 23/09/91 16/01/96 Dr. José A. Moreno
Díaz Reyes Joel Crecimiento y caracterización de InP obtenido por CSVT 07/03/89 20/03/96 Dr. Jaime Mimila
Gómez Castañeda Felipe Circuito integrado para procesamiento de errores en codificación usando una red neuronal artificial 02/02/93 29/03/96 Dr. José A. Moreno
Calleja Arriaga Wilfrido Uso y caracterización de óxidos no estequiométricos en estructuras de memoria MOS 12/92 30/04/96 Dr. Ruperto Osorio

1992

APELLIDOS NOMBRE TESIS INICIO TERMINO ASESOR
Castañedo Pérez Rebeca Modelo de formación del defecto EL2 en GaAs credico epitaxialmente en fase vapor. 01/05/90 04/09/92 Dr. Jaime MimilaDr. Arturo Escobosa

1990

APELLIDOS NOMBRE TESIS INICIO TERMINO ASESOR
Peña Sierra Ramón Estudio teórico – experimental del proceso MOCVD para depósito de GaAs usando arsénico metálico. 01/11/85 20/07/90 Dr. Arturo Escobosa

 


1987

APELLIDOS NOMBRE TESIS INICIO TERMINO ASESOR
Morales Acevedo Arturo Estudio sobre mecanismos limitantes de la eficiencia de celdas solares de silicio cristalino, policristalino y amorfo. 01/11/86 15/12/87 Dr. René Asomoza