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Laboratorio SIMS y Análisis de Superficies 

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Espectrometría de Masas de Iones Secundarios (SIMS)

Detecta concentraciones muy bajas de dopantes e impurezas. La técnica proporciona perfiles de profundidad elemental en un amplio rango de profundidad desde unos pocos angstroms (Å) hasta decenas de micrómetros (µm). La superficie de la muestra se pulveriza o erosiona con un haz de iones primarios (normalmente O2+ o Cs+), y de Bi para hacer análisis, mientras que los iones secundarios formados durante el proceso de pulverización se extraen y analizan mediante un espectrómetro de masas (de tiempo de vuelo). Los iones secundarios pueden variar en concentración desde niveles de matriz hasta niveles de trazas inferiores a Ppm:

  • Perfiles de profundidad de impurezas y dopantes
  • Mediciones de composición e impurezas de películas delgadas (metales, dieléctricos, materiales SiGe, III-V y II-VI)
  • Perfiles de ultra alta resolución en profundidad de implantaciones poco profundas y películas ultrafinas
  • Análisis a granel que incluyen B, C, O y N en Si
  • Revisión o control de la calidad y la precisión de implantadores de iones o reactores epitaxiales.

 

La Sección de Electrónica del Estado Sólido (SEES) del Departamento de Ingeniería Eléctrica cuenta con un espectrómetro de masas de iones secundarios TOF SIMS 5, de la marca IONTOF. En el laboratorio SIMS se realiza investigación básica relacionada con el fenómeno de “Sputtering”, y también se realizan análisis de semiconductores en la parte tecnológica. En esta página podrás encontrar una breve descripción de la técnica analítica, características del espectrómetro, equipo de apoyo, integrantes, reportes y una sección de servicio con la intención de que se conozcan los alcances de nuestra labor.  Análisis RAMAN y MICROSCOPIA DE FUERZA ATÓMICA.

¿QUÉ ES EL SIMS?

SIMS es una técnica para el análisis de superficies la cual utiliza iones para bombardear la muestra, estos iones son llamados iones primarios y pueden ser de carga positiva o negativa. El impacto de los iones produce una erosión que resulta en partículas como átomos, moléculas, iones entre otras. Los iones producto de este bombardeo son llamados iones secundarios, son recolectados y seleccionados de acuerdo a su carga, energía y masa, finalmente son cuantificados. 

EROSIÓN IÓNICA:

 

¡Contactanos!

Dr. Iouri Koudriavtsev
Investigador de la SEES, Cinvestav
Laboratorio SIMS
Tel. 5747 3800 ext. 6255, 6250
Email. yuriyk@cinvestav.mx ; yuri_kudr@hotmail.com

Dr. René Asomoza Palacio
Investigador de la SEES, Cinvestav
Laboratorio SIMS
Tel. 5747 3800 ext. 1411
Email. rasomoza@cinvestav.mx

M. en C. María Georgina Ramírez Cruz
Auxiliar de Investigación
Tel. 5747 3800 ext. 6250, 6255
Email. gramirez@cinvestav.mx; ingeoramirez@yahoo.com.mx