Dr. Alfredo Reyes Barranca

 EES002a
Investigador CINVESTAV 3C.
Doctor en Ciencias (1998)
ClNVESTAV-IPN, México D.F.
Líneas de Investigación:

  • Diseño de Circuitos Integrados Analógicos
  • Circuitos Integrados con Transistor MOS de compuerta flotante
  • Sistemas de sensores químicos basados en tecnología MEMS

Categoría en el SNI: Nivel I
mreyes@cinvestav.mx
Tel. 57-47-38-00 ext. 3776
Oficina: 2-SEES

 

 

 


 

PUBLICACIONES 2016

Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje estricto

Stephany AbarcaJiménez, M. Alfredo ReyesBarranca, Salvador MendozaAcevedo, Jacobo E. MunguíaCervantes, Miguel A. AlemánArce. Electromechanical modeling and simulation by the Euler–Lagrange method of a MEMS inertial sensor using a FGMOS as a transducerMicrosyst Technol. 22 (2016)  767–775. DOI 10.1007/s00542-015-2429-3.G.

Edgar Solís Ávila, Julio C. Tinoco, Andrea G. Martínez-López, Mario Alfredo Reyes-Barranca, Antonio Cerdeira, and Jean-Pierre Raskin. Parasitic Gate Resistance Impact on Triple-Gate FinFET CMOS InverterIEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 63 (7) (2016).

Artículos publicados en extenso en memorias de congresos internacionales, con arbitraje

2016 13th International Conference on Electrical Engineering, Computing Science and Automatic Control (CCE), Mexico City, Mexico, 26-30 September, 2016

Domínguez-Sánchez S., Reyes-Barranca M. A., Mendoza-Acevedo S., Flores-Nava L. M., Moreno-Cadenas J.A. Assessment of the Possibility to Couple a Photo Sensor to a Floating-Gate MOS Transistor. 567-572. ISBN 978-1-5090-3511-3/16.

Granados-Rojas B., Reyes-Barranca M. A., Abarca-Jiménez G. S., Flores-Nava L. M., Moreno-Cadenas J. A. 3-layered Capacitive Structure Design for MEMS Inertial Sensing. 567-572. ISBN 978-1-5090-3511-3/16.


PUBLICACIONES 2015

Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje estricto

 G. Stephany Abarca‑Jiménez, M. Alfredo Reyes‑Barranca, Salvador Mendoza‑Acevedo, Jacobo E. Munguía‑Cervantes, Miguel A. Alemán‑Arce. Electromechanical modeling and simulation by the Euler%u2013Lagrange method of a MEMS inertial sensor using a FGMOS as a transducerMicrosyst Technol. DOI 10.1007/s00542-015-2429-3, Received: 7 January 2015 / Accepted: 13 January 2015, published online: 01 February 2015.

G. S. Abarca Jiménez, M. A. Reyes Barranca, S. Mendoza Acevedo, J. E. Munguía Cervantes, M. A. Alemán Arce. Design considerations and electro%u2011mechanical simulations of an inertial sensor based on a floating gate metal%u2011oxide semiconductor field%u2011effect transistor as transducer. Microsyst Technol. 21 (2015) 1353–1362. DOI 10.1007/s00542-014-2274-9.