Dr. Antonio Cerdeira Altuzarra

 EES011a
Investigador Cinvestav 3C

Doctor en Ciencias Técnicas (1977)
Instituto Politécnico Noroccidental de Leningrado, Rusia.

Líneas de investigación:

  • Estudio, Caracterización y modelación de transistores MOSFETs avanzados y Transistores de Capa Fina (TFT)

Categoría en el SNI: Nivel II

Curriculum Vitae
cerdeira@cinvestav.mx
Tel. 57-47-38-00 ext. 6284
Oficina: 6-SEES

 

 

 

 

 

 

PUBLICACIONES 2016

Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje estricto

 Moldovan, O., Castro-Carranza A., Cerdeira, A., Estrada, M., Barquinha, P., Martins, R., Fortunato, E., Miljakovic, S., Iñiguez, B. A compact model and direct parameters extraction techniques for amorphous gallium indium zinc oxide thin film transistors. Solid State Electronics. 126 (2016) 81-86. DOI: 10.1016/j.sse.2016.09.011.

 Antonio CerdeiraMagali Estrada, Lluis F. Marsal, Josep Pallares, Benjamín Iñiguez. Review paper. On the series resistance in staggered amorphous thin film transistors. Microelectronics Reliability63 (2016) 325–335.

 J. C. Tinoco, A. G. Martinez-Lopez, G. Lezama, C. Mendoza-Barrera, A. Cerdeira and M. Estrada. Modelling and extraction procedure for gate insulator and fringing gate capacitance components of an MIS structureSemicond. Sci. Technol. 31 (2016) 075011.

F. Ávila-Herrera, B. C. Pa, A. Cerdeira, M. Estrada, M. A. Pavanello. Charge-based compact analytical model for triple-gate junctionless nanowire transistorsSolid-State Electronics. 122 (2016) 23–31.

M. Estrada, M. Rivas, I. Garduño,  F. Avila-Herrera, A. Cerdeira, M. Pavanello, Mejia, M. A. Quevedo-Lopez. Temperature dependence of the electrical characteristics up to 370 K of amorphous In-Ga-ZnO thin film transistorsMicroelectronics Reliability. 56 (2016) 29–33.

Edgar Solís Ávila, Julio C. Tinoco, Andrea G. Martínez-López, Mario Alfredo Reyes-Barranca, Antonio Cerdeira, and Jean-Pierre Raskin. Parasitic Gate Resistance Impact on Triple-Gate FinFET CMOS InverterIEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 63 (7) (2016).

Alvarado, P Flores, S Romero, F Ávila-Herrera, V González, B S Soto-Cruzand A Cerdeira. Verilog-A implementation of a double-gate junctionless compact model for DC circuit simulations. 2016. Semicond. Sci. Technol. 31 (2016) 075002.

B. C. Paz, M. Cassé, S. Barraud, G. Reimbold, O. Faynot, F. Ávila-Herrera, A. Cerdeira, M. A. Pavanello. Drain current model for short-channel triple gate junctionless nanowire transistorsMicroelectronics Reliability. 63 (2016) 1–10.

ARTICULOS PUBLICADOS EN EXTENSO EN MEMORIAS DE CONGRESOS INTERNACIONALES, CON ARBITRAJE

2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro 2016, IEEE), BELLO HORIZONTE, BRASIL. AGOSTO 27-SEPTIEMBRE 02.

C. A. Pons Flores; I. Hernandez; M. Estrada; I. Garduño; A. Cerdeira; J. Tinoco; I. Mejía; R. Picos. Hafnium-Indium-Zinc oxide thin film transistors using HfO2 as gate dielectric, with both layers deposited by RF sputtering. 2016 1-4. DOI: 10.1109/SBMicro.2016.7731318.

V Simposio Internacional de Electrónica: Diseño, Aplicaciones, Técnicas Avanzadas y Retos Actuales. La Habana, Cuba. Marzo 14-18, 2016.

Magali Estrada del Cueto, Antonio Cerdeira Altuzarra, Benjamin Iñiguez, Nicolau Josep Pallares, Lluis Marsal. Sobre el efecto de la resistencia serie en el modelado de transistores de capas finas amorfos.

Antonio Cerdeira Altuzarra, Alberto Lastres CapoteSobre la historia de la microelectrónica en Cuba.

 

 


 

PUBLICACIONES 2015

Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje estricto

 M. Estrada, M. Rivas, I. Garduño, F. Avila-Herrera, A. Cerdeira, M. Pavanello, I. Mejia and M. A. Quevedo-Lopez. Temperature dependence of the electrical characteristics up to 370 K of amorphous In-Ga-ZnO thin film transistors. Microelectronics Reliability, articule in press, DOI: 10.1016/j.microrel.2015.10.015, ISSN: 0026–2714.

 M. Estrada, G. Gutierrez-Heredia, A. Cerdeira, J. Alvarado, I. Garduño, J. Tinoco, I. Mejia and M. Quevedo-Lopez. Temperature dependence of the electrical characteristics of low-temperature processed zinc oxide thin film transistorsThin Solid Films. 573 (2015) 18-21. DOI: 10.1016/j.tsf.2014.10.092, ISSN: 0040–609.

F. Ávila-Herrera, A. Cerdeira, B. C. Paz, M. Estrada, B. Íñiguez, M. A. Pavanello. Compact model for short-channel symmetric double-gate junctionless Transistors. Solid-State Electronics. 111 (2015) 196–203.

B. C. Paz, F. Ávila-Herrera, A. Cerdeira and M. A. Pavanello. Double-gate junctionless transistor model including short-channel effects. Semicon. Sci. Technol. 30 (2015) 055011.

A. G. Martinez-Lopez, A. Cerdeira, J. C. Tinoco, J. Alvarado, W. Y. Padron, C. Mendoza and J. P. Raskin. RF modeling of 40-nm SOI triple-gate FinFET. Int. J. Numer. Model. 28 (2015) 465–478.

B. González, J. B. Roldán, B. Iñiguez, A. Lázaro, A. Cerdeira. DC self-heating effects modelling in SOI and bulk FinFETs. Microelectronic Journal. 46 (2015) 320-326