Dr. Arturo Escobosa Echavarría

 EES028a
Investigador CINVESTAV 3C.
Doctor en Ingeniería, Universidad de Aachen, Alemania. 

Líneas de Investigación:

  • Crecimiento epitexial de compuestos III-V.
  • Caracterización de Semiconductores.
  • Dispositivos Optoelectrónicos.

Logros:

  • Patente: Método para la  obtención de películas de nitruro de galio por conversión de arseniuro de galio mediante nitridación.  Instituto Mexicano de la Propiedad Industrial.  Titulo de patente No. 278725.  Septiembre 6, 2010.

Categoría en el SNI: Nivel II
escobosa@cinvestav.mx
Tel. 57-47-38-00 ext. 3775
Oficina: 3-SEES

 


 

Publicaciones 2016

Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje estricto

C. A. Hernández-Gutierrez, Yu. Kudriavtsev, Esteban Mota, A.G. Hernández, A. Escobosa-Echavarría, V. Sánchez-Resendiz, Y. L. Casallas-Moreno, M. López-López. A new method of making ohmic contacts to p-GaN. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 388 (2016) 35-40.

 


PUBLICACIONES 2015

Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje estricto

 V. D. Compeán García, I. E. Orozco Hinostroza, A. Escobosa Echavarría, E. López Luna, A. G. Rodríguez, M. A. Vidal. Bulk lattice parameter and band gap of cubic InXGa1_XN (001) alloys on MgO (100) SubstratesJournal of Crystal Growth. 418 (2015) 120–125.

O. de MeloA. DomínguezK. Gutiérrez Z-BG. Contreras-PuenteS. Gallardo-HernándezA. EscobosaJ. C. GonzálezR. PaniagoJ. Ferraz DiasM. Behar. Graded composition CdxZn1%u2212xTe films grown by Isothermal Close Space Sublimation techniqueSolar Energy Materials and Solar Cells.

Y. L. Casallas-Moreno, S. Gallardo-Hernández, F. Ruiz-Zepeda, B. M. Monroy, A. Hernández-Hernández, A. Herrera-Gómez, A. Escobosa-Echavarría, G. Santana, A. Ponce, M. López-López. As4 overpressure effects on the phase purity of cubic GaN layers grown on GaAs substrates by RF-MBE. Appl. Surf Sci. 353 (2015) 588.

Jose Reyes-Gasga, Olga Koudriavtseva, Raul Herrera-Becerra, Arturo Escobosa. XRD Characterization of Crystallinity of Human Tooth Enamel under Influence of Mechanical Grinding.  Materials Science and Applications. 6 (2015) 464-472.

M. Ramírez-López, Y. L. Casallas-Moreno, M. Pérez-Caro, A. Escobosa-Echevarria, S. Gallardo-Hernández, J. Huerta-Ruelas, and M. Lopez-Lopez. Study of interference effects on the photoluminescence of AlGaN/GaN quantum wells. Phys. Status Solidi C. 12 (4–5) (2015) 365–368 / DOI 10.1002/pssc.201400185.