Dr. Gabriel Romero-Paredes Rubio

 EES014a
Investigador CINVESTAV 3B.
Doctor Ingeniero (1984)
Universidad de Aachen, Alemania.
 Líneas de investigación:

  • Dispositivos semiconductores de silicio y silicio poroso.
  • Caracterización de semiconductores.
  • Procesos tecnológicos de circuitos integrados de silicio.

Categoría en el SNI: Nivel II
gromero@cinvestav.mx
Tel. 57-47-38-00 ext. 3777
Oficina: 8-SEES


PUBLICACIONES 2016

Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje estricto

M. A. Vásquez-A, G. Romero-Paredes, J. A. Andraca-Adame and R. Peña-Sierra. Fabrication and characterization of ZnO:Zn(n+)/Porous-Silicon/Si(p) heterojunctions for white light emitting diodes. Mexicana de Física. 62 (2016) 5–9.


Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje estricto

2015

 E. Díaz-Torres, G. Romero-Paredes, R. Peña-Sierra, A. Ávila-García. Formation and characterization of porous silicon films obtained by catalyzed vapor-chemical etching. Materials Science in Semiconductor Processing. 40 (2015) 533-538.

I. Montes-Valenzuela, G. Romero-Paredes, M. A. Vázquez-Agustín, R. Baca-Arroyo, R. Peña-Sierra. Synthesis and characterization of nanostructured magnetoresistive Ni doped ZnO films. Materials Science in Semiconductor Processing. 37(2015)185–189. (ISSN: 1369-8001).