Dr. Yuriy Koudriavtsev

 EES034a
Investigador CINVESTAV 3B.
Dr. en Física Electrónica y Física de Semiconductores Febrero 1998
Universidad Técnica Estatal de St. Petersburgo Rusia

Líneas de Investigación:

  •  SIMS (Espectroscopia de Masas de Iones Secundarios)
  •  Interacción de radiación con solido
  •  AFM (Microscopia de Fuerzas Atómicas)
  • EDX,(Espectroscopia por Dispersión de Energía de Rayos – X)
  • Hetero-estructuras semiconductoras
  •  Cronología geológica y arqueológica
  • OHD (Obsidian Hydration Dating) con SIMS

Categoría en el SNI: Nivel II
yuriyk@cinvestav.mx
Tel. 57-47-38-00 ext. 6255
Oficina: 10-SEES


PUBLICACIONES 2016

Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje estricto

H. Gómez-Pozos, E. Luna-Arredondo, A. Maldonado-Álvarez, R. Biswal, Yu. Kudriavtsev, J. Vega-Pérez, Y. Casallas-Moreno, M. Olvera-Amador. Cu-Doped ZnO Thin Films Deposited by a Sol-Gel Process Using Two Copper Precursors: Gas-Sensing Performance in a Propane Atmosphere. Materials. (9) (87) (2016). 1-16. doi:10.3390/ma9020087.

A. G. Hernandez, Yu. Kudriavtsev. Bim+ ion beam patterning of germanium surfaces at different temperatures and ion fluence. J. Vacuum Science & Technology B. (34) 061805 (2016). doi: 10.1116/1.4967697.

K. D. Moiseev, V. V. Romanov, Yu. A. Kudryavtsev. Features of an InAsSbP Epilayer Formation on an InAs Support by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Physics of the Solid State. 58 (11) (2016). 2285–2289.

A. M. Lugovykh, T. B. Charikova, V. I. Okulov, K. D. Moiseev, Yu. A. Kudryavtsev. Charge Transfer Features and Ferromagnetic Order in Semiconductor Heterostructures δ-Doped with Manganese. Physics of the Solid State. (58) (11) (2016). 2240–2243.

Artículos publicados en extenso en memorias de congresos internacionales, con arbitraje

2016 13th International Conference on Electrical Engineering, Computing Science and Automatic Control (CCE), Mexico City, Mexico, 26-30 September, 2016

H. E. Martínez, A. Kosarev, A. B. Pevtsov, A.V. Zherzdev, N. A. Feoktistov, Y. Kudriavtsev. High Contrast Distributed Bragg Reflectors Based on Si:H/SiC:H PECVD Multilayer Structure. DOI: 10.1109/ICEEE.2016.7751225.

 


PUBLICACIONES 2015

Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje estricto

2015

Yuriy Kudriavtsev, Salvador Gallardo, Miguel Avendaño, Georgina Ramírez, René Asomoza, Linda Manzanilla, Laura Beramendi. Chemical analysis of obsidian by a SIMS/EDX combined system. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B. 343 (2015) 153–157

T. Charikova, V. Okulov, A. Gubkin, A. Lugovikh, K. Moiseev, V. Nevedomsky, Yu. Kudriavtsev, S. Gallardo, and M. Lopez. Magnetizati�n in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of mangaleseLow Temperature Physics. 41 (2) (2015) 157-159

 A. G. Hernández, Yu. Kudriavtsev, S. Gallardo, M. Avendaño, R. Asomoza. Formation of self-organized nano-surfaces on III%u2013V semiconductors by low energy oxygen ion bombardment. Materials Science in Semiconductor Processing. 37 (2015) 190–198