Dr. Jaime Mimila Arroyo

 EES032a
Investigador CINVESTAV 3C.
Doctor en Ciencias (1978)
Université de París VI- Francia

Líneas de investigación:

  • Celdas Solares, Transistores de Alta Frecuencia, Fotoconductores,
  • Crecimientos de Cristales Masivos
  • y en Películas Delgadas de: GaAs, InP, GaP, BN, GaN, CdTe, ZnTe, ZnSe.
  • Diodos emisores de luz, transistores, MES-FET, celdas solares. HEMT Al GaN/GaN, H en los semiconductores.

Logros:

  • 1er. Módulo Solar en América Latína
  • 1er. Transistor FET-CSVT en el Mundo (1984).
  • 1ra. Patente Otorgada al CINVESTAV-IPN en el área de Semiconductores por E.U.A. (1993).
  • Patente 2010: The Bipolar Junction Transistor; a Primary Thermometer.  Patente concedida en los ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.  Method to use a Bipolar Transistor as a Calibration Free Thermometer.  Número de solicitud internacional PCT/MX/2006/000075

Categoría en el SNI: Nivel III
jmimila@cinvestav.mx
Tel. 57-47-38-00 ext. 6251
Oficina: 1-SEES


 

PUBLICACIONES 2016

Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje estricto

J. Mimila Aroyo. Electrical determination of the bandgap energies of the emitter and base regions of bipolar junction transistors. Journal of Applied Physics. 120 (2016) 164508. 0021-8979/2016/120(16)/164508/5/$30.00.