Dr. Ramón Peña Sierra

 EES072a
Investigador CINVESTAV 3C.
Doctor en Ciencias (1990),
CINVESTAV. México. D.F.

Líneas de Investigación:

  • Crecimiento y caracterización de películas epitexiales semiconductoras de la familia III-V por MOCVD.
  • Diodos emisores de luz de GaAs-GaAlAs.
  • Láseres de semiconductor.
  • Dispositivos optoelectrónicos.

Categoría en el SNI: Nivel II
rpsierra@cinvestav.mx
Tel. 57-47-38-00 ext. 3777
Oficina: 8-SEES


PUBLICACIONES 2016

Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje estricto

M. A. Vásquez-A, G. Romero-Paredes, J. A. Andraca-Adame and R. Peña-Sierra. Fabrication and characterization of ZnO:Zn(n+)/Porous-Silicon/Si(p) heterojunctions for white light emitting diodes. Mexicana de Física. 62 (2016) 5–9.

Primavera López-Salazar, Javier Martínez-Juárez, Gabriel Juárez-Díaz, Francisco De Anda-Salazar, Ramón Peña-Sierra, Arturo García Borquez, Alvaro David Hernández-De la Luz. Characterization of Al0.047Ga0.953Sb layers grown on GaSb using reciprocal space maps. Materials Letters. 166 (2016) 239–242.


PUBLICACIONES 2015

Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje estricto

  E. Díaz-Torres, G. Romero-Paredes, R. Peña-Sierra, A. Ávila-García. Formation and characterization of porous silicon films obtained by catalyzed vapor-chemical etching. Materials Science in Semiconductor Processing. 40 (2015) 533-538.

F. G. Nieto-Caballero, G. García-Salgado, T. Díaz-Becerril, E. Rosendo-Andrés, H. Juárez-Santiesteban, M. Gracia-Jiménez, A. Tovar-Corona, U. Peña- Rosas, R. Peña-Sierra. %u03B2-Ga2O3 Particles Formed of a Complex Organic by ElectrolysisInt. J. Electrochem. Sci. 10 (2015) 9742 – 9750. (ISSN 1452-3981).

I. Montes-Valenzuela, G. Romero-Paredes, M. A. Vázquez-Agustín, R. Baca-Arroyo, R. Peña-Sierra. Synthesis and characterization of nanostructured magnetoresistive Ni doped ZnO films. Materials Science in Semiconductor Processing. 37(2015)185–189. (ISSN: 1369-8001).