Dr. Salvador Ivan Garduño

 EES016a
CATEDRATICO CONACYT.

  • Doctor en Ciencias (2012) 
  • CINVESTAV- IPN,
  • México, D.F.

Líneas de investigación:

  • Procesos Tecnológicos para la fabricación de TFTs, con materiales orgánicos (OTFTs) y óxidos amorfos semiconductores (AOSTFTs)
  • Modelado de corrientes de fuga debidas a la estructura de compuerta en transistores de nano-hilos sin uniones de triple-compuerta (Triple-Gate-Junctionless Nano-wires Transistors)

Categoría en el SNI: Nivel I 

sgarduno@cinvestav.mx

Tel. 57-47-38-00 ext. 3772

 


PUBLICACIONES 2016

Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje estricto

M. Estrada, M. Rivas, I. Garduño,  F. Avila-Herrera, A. Cerdeira, M. Pavanello, Mejia, M. A. Quevedo-Lopez. Temperature dependence of the electrical characteristics up to 370 K of amorphous In-Ga-ZnO thin film transistors. Microelectronics Reliability. 56 (2016) 29–33.

Artículos publicados en extenso en memorias de congresos internacionales, con arbitraje

2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro 2016, IEEE), BELLO HORIZONTE, BRASIL. AGOSTO 27-SEPTIEMBRE 02.

C. A. Pons Flores; I. Hernandez; M. Estrada; I. Garduño; A. Cerdeira; J. Tinoco; I. Mejía; R. Picos. Hafnium-Indium-Zinc oxide thin film transistors using HfO2 as gate dielectric, with both layers deposited by RF sputtering. 2016 1-4. DOI: 10.1109/SBMicro.2016.7731318.

 


PUBLICACIONES 2015

Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje estricto

M. Estrada, M. Rivas, I. Garduño, F. Avila-Herrera, A. Cerdeira, M. Pavanello, I. Mejia and M. A. Quevedo-Lopez. Temperature dependence of the electrical characteristics up to 370 K of amorphous In-Ga-ZnO thin film transistors. Microelectronics Reliability, articule in press, DOI: 10.1016/j.microrel.2015.10.015, ISSN: 0026–2714.

 M. Estrada, G. Gutierrez-Heredia, A. Cerdeira, J. Alvarado, I. Garduño, J. Tinoco, I. Mejia and M. Quevedo-Lopez. Temperature dependence of the electrical characteristics of low-temperature processed zinc oxide thin film transistorsThin Solid Films. 573 (2015) 18-21. DOI: 10.1016/j.tsf.2014.10.092, ISSN: 0040–609.

M. Estrada, M. Rivas, I. Garduño, F. Avila-Herrera, A. Cerdeira, M. Pavanello, I. Mejia and M. A. Quevedo-Lopez. Temperature dependence of the electrical characteristics up to 370 K of amorphous In-Ga-ZnO thin film transistors. Microelectronics Reliability, articule in press, DOI: 10.1016/j.microrel.2015.10.015, ISSN: 0026–2714.

 M. Estrada, G. Gutierrez-Heredia, A. Cerdeira, J. Alvarado, I. Garduño, J. Tinoco, I. Mejia and M. Quevedo-Lopez. Temperature dependence of the electrical characteristics of low-temperature processed zinc oxide thin film transistorsThin Solid Films. 573 (2015) 18-21. DOI: 10.1016/j.tsf.2014.10.092, ISSN: 0040–609.