Dra. Magali Estrada del Cueto

 EES008a
Investigador CINVESTAV 3C.
Doctor en Ciencias Técnicas (1977)
Instituto Politécnico Noroccidental de Leningrado URSS.

Líneas de investigación:

  • Fabricación, Caracterización y modelación de dispositivos orgánicos: emisores de luz y transistores de capa fina
  • TFT. Estudio, caracterización y modelación de transistores MOSFETs avanzados.

Categoría en el SNI: Nivel II

Curriculum Vitae
mestrada@cinvestav.mx
Tel. 57-47-38-00 ext. 3786
Oficina: 5-SEES


PUBLICACIONES 2016

Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje estricto

 Moldovan, O., Castro-Carranza A., Cerdeira, A., Estrada, M., Barquinha, P., Martins, R., Fortunato, E., Miljakovic, S., Iñiguez, B. A compact model and direct parameters extraction techniques for amorphous gallium indium zinc oxide thin film transistors. Solid State Electronics. 126 (2016) 81-86. DOI: 10.1016/j.sse.2016.09.011.

 Antonio Cerdeira, Magali Estrada, Lluis F. Marsal, Josep Pallares, Benjamín Iñiguez. Review paper. On the series resistance in staggered amorphous thin film transistors. Microelectronics Reliability63 (2016) 325–335.

 J. C. Tinoco, A. G. Martinez-Lopez, G. Lezama, C. Mendoza-Barrera, A. Cerdeira and M. Estrada. Modelling and extraction procedure for gate insulator and fringing gate capacitance components of an MIS structureSemicond. Sci. Technol. 31 (2016) 075011.

F. Ávila-Herrera, B. C. Pa, A. Cerdeira, M. Estrada, M. A. Pavanello. Charge-based compact analytical model for triple-gate junctionless nanowire transistorsSolid-State Electronics. 122 (2016) 23–31.

M. Estrada, M. Rivas, I. Garduño,  F. Avila-Herrera, A. Cerdeira, M. Pavanello, Mejia, M. A. Quevedo-Lopez. Temperature dependence of the electrical characteristics up to 370 K of amorphous In-Ga-ZnO thin film transistorsMicroelectronics Reliability. 56 (2016) 29–33.

Victor Samuel Balderrama, Fernando Avila-Herrera, José Guadalupe Sánchez, Josep Pallares, Osvaldo Vigil-Galan, Lluis F. Marsal and Magali Estrada. Organic Solar Cells Toward the Fabrication Under Air Environment. IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS. 6 (2) (2016) 491-497

Artículos publicados en extenso en memorias de congresos internacionales, con arbitraje

2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro 2016, IEEE), BELLO HORIZONTE, BRASIL. AGOSTO 27-SEPTIEMBRE 02.

C. A. Pons Flores; I. Hernandez; M. Estrada; I. Garduño; A. Cerdeira; J. Tinoco; I. Mejía; R. Picos. Hafnium-Indium-Zinc oxide thin film transistors using HfO2 as gate dielectric, with both layers deposited by RF sputtering. 2016 1-4. DOI: 10.1109/SBMicro.2016.7731318.

V Simposio Internacional de Electrónica: Diseño, Aplicaciones, Técnicas Avanzadas y Retos Actuales. La Habana, Cuba. Marzo 14-18, 2016.

Magali Estrada del Cueto, Antonio Cerdeira Altuzarra, Benjamin Iñiguez, Nicolau Josep Pallares, Lluis Marsal. Sobre el efecto de la resistencia serie en el modelado de transistores de capas finas amorfos.


PUBLICACIONES 2015

Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje estricto

M. Estrada, M. Rivas, I. Garduño, F. Avila-Herrera, A. Cerdeira, M. Pavanello, I. Mejia and M. A. Quevedo-Lopez. Temperature dependence of the electrical characteristics up to 370 K of amorphous In-Ga-ZnO thin film transistors. Microelectronics Reliability, articule in press, DOI: 10.1016/j.microrel.2015.10.015, ISSN: 0026–2714.

 M. Estrada, G. Gutierrez-Heredia, A. Cerdeira, J. Alvarado, I. Garduño, J. Tinoco, I. Mejia and M. Quevedo-Lopez. Temperature dependence of the electrical characteristics of low-temperature processed zinc oxide thin film transistorsThin Solid Films. 573 (2015) 18-21. DOI: 10.1016/j.tsf.2014.10.092, ISSN: 0040–609.

V. S. Balderrama, J. G. Sanchez, M. Estrada, Josep Ferre-Borrull, Josep Pallares, and Lluis F. Marsal. Relation of Polymer Degradation in Air With the Charge Carrier Concentration in PTB1, PTB7, and PCBM Layers Used in High-Efficiency Solar Cells. IEEE Journal of Photovoltaics. 5 (4) (2015) 1003-1009.

F. Ávila-Herrera, A. Cerdeira, B. C. Paz, M. Estrada, B. Íñiguez, M. A. Pavanello. Compact model for short-channel symmetric double-gate junctionless Transistors. Solid-State Electronics. 111 (2015) 196–203.